会社概要

カーボンナノチューブ

カーボンナノチューブのポテンシャルアプリケーション例

この発展中の業界で、最も高品質で信頼性の高いカーボンナノチューブを、業界の急発展に貢献できる様に最小のコストで製造し、低価格で提供しています。 貴社製品の研究・開発用にご利用下さい。

カーボンナノチューブ使用例

使用例1

  • マイクロエレクトロニクス/半導体
  • 導電性複合体
  • 放射性希ガス貯蔵
  • 人工筋肉
  • ナノ用具
  • 超コンデンサ
  • 磁気ナノチューブ
  • バッテリ
  • ナノ作動装置
  • 電界放出平面ディスプレイ
  • FETと単一電子トランジスタ
  • ナノリソグラフィ
  • ナノエレクトロニクスドーピング
  • ナノバランス
  • ナノピンセット
  • データストレージ
  • 分子量子細線
  • 水素吸蔵
  • 破棄リサイクル
  • 太陽貯蔵
  • 電磁気シールド
  • 透析フィルタ
  • 防熱
  • ナノチューブ強化複合体
  • 防護服やその他の材料の強化
  • ポリマーの強化
  • 航空電子工学
  • 衝突保護材料
  • フライホイール

使用例2

  • 炭素同位体(ダイヤモンド、グラファイト)
  • グラファイトのロール状同心円炭素レイア(グラファイン):下図A
  • 構成しているグラファインのウォール数によって、単層、二層、多層カーボンナノチューブ:下図B
  • アライメント:下図C
  • パウダー:下図D

カーボンナノチューブ使用例

カーボンナノチューブの製法

カーボンナノチューブの合成方法には、CVD法の他、アーク放電法やレーザ切断法などいろいろな方法がありますが、蘇州インスティチュートではCVD法で研究開発をしています。
CVDは量産には最も有望な方法であり、カーボンナノチューブの長さ、アライメント、濃度等をコントロールしながら生成する方法だからです。

カーボンナノチューブの特性

電気特性 金属性か、あるいは半導体性かという性質は、グラファインがどの様にロールされるかによって決まるチューブの直径と、キラリティー(分子の非対称性)に依存します。金属チューブの最大電流密度は通常の金属より10,000倍高い109 A/cm2
機械特性 相対的強度 : 最大で鋼鉄の300倍
ヤング率 : 最大1TPa
引張強度 : >150GPa
熱特性 熱伝導率 : >600W/(m・K)
温度安定性 : 最大2800℃
純度 炭素含量 : 95%以上(熱重量測定結果)
純度はご要望に応じて変更可能です。別途ご相談下さい。

カーボンナノチューブ(CNT)製品

Ultra-long CNT Arrays

アレイサイズ
10×10×4.7mm

CNTウォール数
2~7

平均直径
~10nm

Ultra-long CNT Arrays

CNT Suspensions in NMP

CNTタイプ
単層、二層、多層

CCNT濃度
0~20mg/mL

CNTへの分散剤の質量比
<0.2

保管寿命
>3ヶ月

CNT Suspensions in NMP

単層CNT in Powder

CNT色
Black

CNT直径
0.9~1.7nm

平均BET表面エリア
~700m2/g

金属酸化物
5wt%Max

単層CNT in Powder

単層 CNT Random Networks on Si Substarates

単層CNTの長さ
数ナノメータから数十ミクロン

外径
0.9~2.7nm

内径
0.6~2.4nm

ネットワーク密度
ご指定による

納期
2~3ヶ月

単層 CNT Random Networks on Si Substarates

二つの電極間の配向単層CNT配列

単層CNTの長さ
数ナノメータから数十ミクロン

アライメント密度(濃度)
調節可

外径
0.9~2.7nm

内径
0.6~2.4nm

納期
2~3ヶ月

二つの電極間の単層CNT配列

CNT/高分子複合材料

マトリックスポリマーの機械的特性を強化する添加剤として、ヨットのマスト、ゴルフクラブのシャフトやバイク付属品等の様なハイパフォーマンスのナノ複合材となります。ESD(静電気放電)材としての潜在特性もあります。

色々な溶媒のCNTサスペンション
NMP(N-メチルピロリドン)ベースのカーボンナノチューブサスペンションの他にも多様な溶媒でCNTを分散させることができるので、上記の様な異なるナノ複合材に使うことができます。

金属/半導体 CNT 透明導電膜(バッキーペーパー)

確立した拡散/分離技術で異なる種類のCNTをベースにしたバッキーペーパーをつくる事ができます。 タッチスクリーンでITO(Indium Tin Oxide:インジウムスズ酸化物)に取って代わる事ができる透明導電膜はアプリケーション例です。

金属/半導体 CNT 透明導電膜(バッキーペーパー)

配向カーボンナノチューブアレイ1

垂直配向カーボンナノチューブアレイはサーマルCVDを使って合成されています。 酸化膜をつけたシリコン基板が、まずFe触媒の薄膜をコーティングされてからCVDチャンバーに入れられます。アセチレン(C2H2)またはエチレン (C2H4)がカーボン源です。

配向カーボンナノチューブアレイ

配向カーボンナノチューブアレイ2

配向カーボンナノチューブアレイ

カーボンナノチューブアレイの標準的なSEM像サイドビュー

配向カーボンナノチューブアレイ

カーボンナノチューブアレイの標準的なSEM像

配向カーボンナノチューブアレイ3

純度
> 99% for 外径10 nmアレイ
> 90% for 外径20 nmアレイと
外径50 nmアレイ

アレイ長さ
最大1000ミクロン

密度
0.029g/cm3

カーボンナノチューブの直径
7―10 nm

CNTの部位密度
109―1010 CNTs/cm2
(二つの隣り合ったCNT間の空間距離20~300nmに相当)

サブストレートタイプ
サファイア、シリコン、クォーツ

利用可能アレイエリア
1 × 1 cm2, 1.5 × 1.5 cm2
2 × 2 cm2 , 2.5 × 2.5 cm2
3 × 3 cm2 , 4 × 4 cm2

配向カーボンナノチューブアレイ4

配向カーボンナノチューブアレイ

カーボンナノチューブアレイの標準的なHRTEM像

配向カーボンナノチューブアレイ

カーボンナノチューブアレイの標準的なラマンスペクトル

単層カーボンナノチューブ分散系

ソース
HIPCO

直径
0.8 ~ 1.2 nm

計算上の分子量
~ 3.4 x 105 窶錀 5.2 x 106 Amu

BET法表面積
~400 - 1000 m2/g

溶剤
水、Nメチル2ピロリドン(NMP)

濃度
最大2 wt % (分散できるCNT質量含量)

保管寿命
3ヶ月(分散を保てる期間)

多層カーボンナノチューブ分散系

ソース
CNano Technology

直径
11 nm (平均)

長さ
最大10 μm

BET法表面積
230―280 m2/g

溶剤
水、Nメチル2ピロリドン(NMP)

濃度
最大3 wt %(分散できるCNT質量含量)

保管寿命
3ヶ月(分散を保てる期間)